副主任 劉國友
高效的功率模塊設(shè)計(jì)和仿真流程
面向新型應(yīng)用的新一代高可靠性SiC MOSFET器件
國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新拐點(diǎn)、新環(huán)境、新挑戰(zhàn)
SiC MOSFET在新能源汽車上的應(yīng)用
功率模塊3D AOI檢測技術(shù)研究與應(yīng)用
SiC模塊封裝用納米金屬燒結(jié)技術(shù)進(jìn)展及趨勢
8月27日上午 1號(hào)館 會(huì)議室2 | ||
時(shí)間 Time | 演講主題 Topics | 演講嘉賓 Speakers |
Sic器件技術(shù)革新與應(yīng)用生態(tài) | ||
09:30 - 09:50 | 簽到入場 | |
09:50 - 10:00 | 大會(huì)主席致辭 | 功率半導(dǎo)體與集成技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 副主任 劉國友 |
10:00 - 10:30 | 功率模塊封裝技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢 | 阿基米德半導(dǎo)體 CTO 周洋博士 |
10:30 - 11:00 | 高效的功率模塊設(shè)計(jì)和仿真流程 | 西門子電子科技（上海）有限公司 技術(shù)市場工程師 尤立夫 |
11:00 - 11:30 | 面向新型應(yīng)用的新一代高可靠性SiC MOSFET器件 | 清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司 研發(fā)總監(jiān) 孫博韜 |
11:30 - 12:00 | 國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新拐點(diǎn)、新環(huán)境、新挑戰(zhàn) | 泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司 應(yīng)用測試中心主任 高遠(yuǎn) |
8月27日下午 1號(hào)館 會(huì)議室2 | ||
時(shí)間 Time | 演講主題 Topics | 演講嘉賓 Speakers |
SiC/GaN材料、工藝與供應(yīng)鏈 | ||
13:30 - 14:00 | SiC MOSFET在新能源汽車上的應(yīng)用 | 深圳愛仕特科技有限公司 應(yīng)用開發(fā)總監(jiān) 余訓(xùn)斐 |
14:00 - 14:30 | 安世半導(dǎo)體高效級(jí)聯(lián)型與增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)管， 助力優(yōu)化設(shè)計(jì)應(yīng)用成本 | 安世半導(dǎo)體 MOSFET產(chǎn)品線高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理 方舟 |
14:30 - 15:00 | 功率模塊3D AOI檢測技術(shù)研究與應(yīng)用 | 鑫業(yè)誠智能裝備 (無錫) 有限公司 董事長 陳葉金 |
15:00 - 15:30 | SiC模塊封裝用納米金屬燒結(jié)技術(shù)進(jìn)展及趨勢 | 北京工業(yè)大學(xué) 副教授/博導(dǎo) 賈強(qiáng) |
15:30 - 16:00 | 碳化硅MOSFET在電力電子全行業(yè)加速替換IGBT | 深圳基本半導(dǎo)體有限公司 工業(yè)業(yè)務(wù)部總監(jiān) 楊同禮 |
注：主辦機(jī)構(gòu)保留變更日程的權(quán)利；最終的日程以活動(dòng)當(dāng)天發(fā)布的為準(zhǔn)。
