三代半專題 | 大族半導(dǎo)體:SiC晶圓激光切割整套解決方案的應(yīng)用
碳化硅材料正逐漸被廣泛用作功率分立器件(如MOSFET和肖特基二極管等)的首選襯底材料。碳化硅襯底具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的耐熱性等優(yōu)勢(shì)。同時(shí),擁有卓越性能的碳化硅襯底因其硬度高、脆性大等材料特性也給晶圓切割工藝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的機(jī)械切割技術(shù)存在效率低、損傷嚴(yán)重等問(wèn)題,難以滿足實(shí)際需求,相比之下,激光改質(zhì)切割技術(shù)采用了激光束內(nèi)部改質(zhì)的方式進(jìn)行切割,具有高效率、高精度、無(wú)損傷等優(yōu)點(diǎn),因而逐漸成為了切割碳化硅這類硬度高、脆性大材料的首選技術(shù)。本文旨在深入探討激光改質(zhì)切割碳化硅晶圓的原理、優(yōu)勢(shì)、難點(diǎn)等方面,為相關(guān)從業(yè)者提供一些實(shí)用的參考和啟示。
2023-05-24 15:05
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